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  • SML1100003YY0D6PXXXX1100nm光纖耦合激光二極管(200mW)

    1100nm光纖耦合激光二極管(200mW) 產品總覽 光纖耦合激光器是一種將激光束通過光纖傳輸?shù)募す庠O備,廣泛應用于通訊、醫(yī)療、工業(yè)加工等領域。其核心優(yōu)勢在于能夠高效地將激光光束耦合進入光纖,從而實現(xiàn)精準的能量傳輸和高效的能量輸出。

    更新時間:2025-03-17
    產品型號:SML1100003YY0D6PXXXX
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  • S27-7402-420974nm 420mw 單模泵浦激光器

    974nm 420mw 單模泵浦激光器 產品總覽 Lumentum(前身JDSU) 980nm單模泵浦激光器廣泛應用于光放大器與光纖激光器領域。輸出光功率范圍由90mW至950mW,采用光纖光柵穩(wěn)頻技術使泵浦激光器具有更高的波長穩(wěn)定性,同時使得激光器可有效減小驅動電流、溫度與光反饋相關因素的波長穩(wěn)定性。系列產品符合Telcordia GR-468可靠性要求。

    更新時間:2025-03-17
    產品型號:S27-7402-420
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  • V00145-Group3795nm VCSEL低功耗芯片GaAs 0.13mW (Group3 Ta=80±10&

    795nm VCSEL低功耗芯片GaAs 0.13mW (Group3 Ta=80±10°C) 產品總覽 垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發(fā)光二極管)和LD(激光二極管)。

    更新時間:2025-03-14
    產品型號:V00145-Group3
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  • V00145-Group1795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group1 Ta=60±

    795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group1 Ta=60±10°C) 產品總覽 垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發(fā)光二極管)和LD(激光二極管)。

    更新時間:2025-03-14
    產品型號:V00145-Group1
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  • V00145-Group2795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group2 Ta=70±

    795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group2 Ta=70±10°C) 產品總覽 垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發(fā)光二極管)和LD(激光二極管)。

    更新時間:2025-03-14
    產品型號:V00145-Group2
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