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當(dāng)前位置：首頁產(chǎn)品中心光電探測器MCT碲鎘汞探測器

  • 3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器

    3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器 2.5-6.5μm HgCdTe器件在λ_opt時達到好性能。波長分割可根據(jù)需求進行優(yōu)化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應(yīng)速度和動態(tài)范圍的同時提高高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲在低頻下可能會降低探測器的性能。

    更新時間：2024-12-04
    產(chǎn)品型號：
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  • MCT-PEMI-10.6-2×22-12μmMCT 光浸式紅外非冷卻光電磁探測器

    光電磁MCT紅外光伏探測器 2.0-12.0um PEMI系列在10.6 μm處探測性能最佳，是一款特別適用于探測連續(xù)波和低頻調(diào)制輻射的大感光面探測器。這款探測器被安裝在內(nèi)部含有磁性電路的特殊包裝中。3°楔形硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗戶，可以防止不必要的干擾影響和污染。

    更新時間：2024-12-04
    產(chǎn)品型號：MCT-PEMI-10.6-2×2
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  • MCT四級TE冷卻光電導(dǎo)探測器

    1-16μm 中紅外光浸沒式MCT四級TE冷卻光電導(dǎo)探測器 PCI-4TE系列截止波長受GaAs透過率(~0.9 μm)的限制。設(shè)備應(yīng)該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲，在低頻時探測器性能降低。

    更新時間：2024-12-04
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  • 三級TE冷卻光電導(dǎo)探測器

    1-15μm中紅外光浸沒式MCT三級TE冷卻光電導(dǎo)探測器 PCI-3TE系列應(yīng)該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲，在低頻時探測器的性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長增大而增大。帶有3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口，防止不必要的干擾效應(yīng)。

    更新時間：2024-12-04
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  • 2-12μm , MCT中紅外非冷卻多結(jié)光伏探測器

    2-12μm , MCT中紅外非冷卻多結(jié)光伏探測器 PVM-2TE系列在2 ~ 12 μm光譜范圍內(nèi)工作的大型有源區(qū)域探測器中效率很高。3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口，防止不必要的干擾效應(yīng)。

    更新時間：2024-12-04
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