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  • 硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?3mm

    硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?3mm APD 是具有通過施加反向電壓產(chǎn)生的內(nèi)部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的時(shí)間響應(yīng)、低暗電流和高靈敏度。光譜響應(yīng)范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內(nèi)。 C12702-12為短波型，有效面積：Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設(shè)計(jì)。

    更新時(shí)間：2025-02-06
    產(chǎn)品型號：
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  • PDA36UV190～ 1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測器

    190～ 1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測器 我們的硅探測器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測量；放大型探測器，8檔可調(diào)增益 ，定量光電轉(zhuǎn)換；動態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場景 ，應(yīng)用廣泛；索雷博THORLABS同款 ，無縫兼容；性能優(yōu)秀 ，高性價(jià)比 ，quan方位技術(shù)支持； 提供非標(biāo)定制服務(wù)。

    更新時(shí)間：2025-07-03
    產(chǎn)品型號：PDA36UV
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  • Si-0.19/1.1um-4.1mm-50M190~1100nm紫外高速型固定增益硅光電探測器

    190~1100nm紫外高速型固定增益硅光電探測器 筱曉光子的硅基放大光電探測器感光范圍覆蓋190nm~1100nm，可實(shí)現(xiàn)定量光電轉(zhuǎn)換，動態(tài)范圍寬，適用于各種光電開發(fā)場景，性能優(yōu)秀，性價(jià)比高，提供quan方位技術(shù)支持，常應(yīng)用于紫外與可見光測量。

    更新時(shí)間：2025-07-04
    產(chǎn)品型號：Si-0.19/1.1um-4.1mm-50M
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  • Si雪崩單元探測器 100MHz 400-1100nm FC/APC

    Si雪崩單元探測器 100MHz 400-1100nm FC/APC

    更新時(shí)間：2024-12-07
    產(chǎn)品型號：
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  • Si雪崩單元探測器 400MHz 400-1100nm

    Si雪崩單元探測器 400MHz 400-1100nm

    更新時(shí)間：2024-12-07
    產(chǎn)品型號：
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